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          • 硫化鎵晶體(百分之99.995) GaS

            硫化鎵晶體 GaS(Gallium Sulfide) 晶體尺寸:~10毫米 電學性能:半導體 晶體結構:六邊形 晶胞參數:a = 0.360, b = 0.640 nm, c = 1.544 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型:合成 晶體純度:>99.995%

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            產品價格:面議
            廠商性質:生產廠家
            更新日期:2018-07-09
          • 硫化鍺晶體(百分之99.995) GeS

            硫化鍺晶體 GeS(Germanium Sulfide) 晶體尺寸:~10毫米 電學性能:半導體 晶體結構:斜方晶系 晶胞參數:a = 1.450, b = 0.364 nm, c = 0.430 nm, α = β = γ = 90° 晶體類型:合成 晶體純度:>99.995%

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            產品價格:面議
            廠商性質:生產廠家
            更新日期:2018-07-09
          • 二硫化鉿晶體(百分之99.995) HfS2

            二硫化鉿晶體 HfS2 (Hafnium Disulfide) 晶體尺寸:~10毫米 電學性能:半導體 晶體結構:六邊形 晶胞參數:a = b = 0.363 nm, c = 0.586 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型:合成 晶體純度:>99.995%

            訪問次數:488
            產品價格:面議
            廠商性質:生產廠家
            更新日期:2018-07-09
          • 二硫化鉬晶體(天然/百分之99)MoS2

            二硫化鉬晶體(天然) MoS2(Molybdenum Disulfide) 晶體結構:六邊形 類型:天然晶體 尺寸:~10mm-20mm 純度:99% 屬性:半導體

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            產品價格:面議
            廠商性質:生產廠家
            更新日期:2018-07-09
          • 二硫化鉬晶體MoS2-syn-N type

            二硫化鉬晶體(2H-合成/99.995%/n 型) MoS2(Molybdenum Disulfide)-syn 晶體尺寸:~10毫米 電學性能:N型半導體 晶體結構:六邊形 晶胞參數:a = b = 0.315 nm, c = 1.229 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型:合成 晶體純度:>99.995%

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            廠商性質:生產廠家
            更新日期:2018-07-09
          • 二硫化鉬晶體MoS2-syn

            二硫化鉬晶體(2H-合成/99.995%/p 型) MoS2(Molybdenum Disulfide)-syn 晶體尺寸:~10毫米 電學性能:P型半導體 晶體結構:六邊形 晶胞參數:a = b = 0.315 nm, c = 1.229 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型:合成 晶體純度:>99.995%

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            產品價格:面議
            廠商性質:生產廠家
            更新日期:2018-07-09
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